Wedbush分析称，本轮存储芯片涨价的核心逻辑在于供需关系的根本性逆转。需求端，人工智能（AI）、数据中心、5G通信及汽车电子等新兴领域的爆发式增长，对高性能存储芯片的需求持续攀升；供应端，全球主要存储厂商的产能扩张节奏显著滞后于需求增速，叠加地缘政治冲突导致的供应链局部中断，进一步加剧了市场短缺。

报告特别强调，AI服务器对高带宽内存（HBM）的依赖度大幅提升，而HBM产能的扩张需要数年周期，这将成为推动DRAM价格长期走高的关键因素。与此同时，NAND闪存市场因智能手机、PC及企业级存储设备的库存回补需求，亦呈现供不应求态势。

根据Wedbush的预测模型，2026年上半年，DRAM平均销售价格（ASP）将较2025年第四季度上涨130%至150%，NAND价格涨幅亦有望达到120%至140%。这一涨幅不仅远超行业历史平均水平，甚至可能接近2017年上一轮存储超级周期的峰值。价格飙升将直接推高存储厂商的毛利率与净利润。报告指出，三星电子、SK海力士及美光科技等全球头部企业，有望在2026年实现“量价齐升”的双重利好，其营业利润率或突破40%，创近十年新高。

尽管存储厂商迎来盈利盛宴，但下游终端制造商却面临成本压力。Wedbush警告，存储芯片占智能手机、PC及服务器成本的比重高达20%至30%，价格翻倍将迫使终端厂商提价或牺牲利润空间。部分分析师预计，2026年智能手机平均售价（ASP）可能因此上涨5%至10%，而PC与服务器市场亦将出现类似趋势。

此外，行业格局或因成本分化而加速洗牌。具备垂直整合能力（如自研存储芯片）的厂商，如苹果、华为，将在这轮涨价中占据优势；而依赖第三方供应商的中小品牌，可能因成本压力被迫退出高端市场。

Wedbush认为，本轮存储超级周期的持续时间将长于市场预期。尽管主要厂商已宣布扩产计划，但考虑到晶圆厂建设周期、设备交付延迟及技术爬坡难度，供应紧张局面可能延续至2027年。报告建议投资者重点关注三大方向：头部存储厂商：三星、SK海力士、美光科技将直接受益于价格飙升；HBM产业链：封装测试（CoWoS）及材料供应商（如HBM专用基板）需求激增；国产替代机遇：中国存储厂商（如长江存储、长鑫存储）有望加速技术突破与市场份额提升。

存储芯片市场正经历“十年一遇”的超级周期，价格翻倍飙升的背后，是AI革命与供应链重构的双重叙事。对于投资者而言，这既是捕捉超额收益的窗口，也是需警惕终端需求萎缩与产能过剩风险的转折点。

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