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韩国砸5000亿韩元攻关下一代功率半导体 剑指AI与新能源
来源:官方媒体 网络新闻 | 作者:亚洲经济报 | 发布时间 :2026-06-15 | 3 次浏览: | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ | 分享到:
韩国政府正式启动"超级创新经济项目",计划投入5000亿韩元(约合22.3亿元人民币)国家资金,专项攻关下一代功率半导体技术。算上民间配套资金,项目总规模预计达7500亿韩元(约合4.94亿美元)。


当地时间6月14日,韩国副总理兼经济财政部长官具允哲在紧急经济指挥部会议上敲定项目细则,要求产业链企业参与从材料、器件、模块到系统演示的全周期开发,并计划于本月内最终确定商业化技术路线图。


会上,下一代功率半导体与小型模块化反应堆(SMR)、传感器人工智能一同被列为确保未来增长引擎的重要项目。具允哲表示:"我们将认真推进结构性改革和超创新经济项目,以发现第二、第三个半导体等未来增长引擎。"此次攻关焦点集中在以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的化合物半导体上。韩国产业通商资源部已成立专项工作组,推动釜山、浦项等地专业园区晶圆厂升级。



功率半导体是电能转换与控制的核心器件,也是AI数据中心、新能源汽车、智能电网的关键支撑。在AI算力爆发背景下,数据中心海量电力的稳定运行高度依赖功率半导体。相比传统硅基半导体,SiC、GaN等第三代半导体在耐高压、耐高温及高频环境下性能卓越,被视为提升AI数据中心能效、延长电动车续航及稳定国家电网的关键零部件。


机构研报显示,功率半导体正迎来景气上行周期。工银瑞信基金6月研报指出,受晶圆代工成熟制程产能收缩与AI算力需求爆发双重驱动,全球功率半导体呈现结构性紧缺,MOSFET、第三代半导体器件价格持续上涨,部分企业年内已二度调价。中信建投同样提到,AI服务器800V高压直流、固态变压器等新应用正加速拉动高端功率器件需求,SiC/GaN市场已进入高增长通道。