2026年8月31日最新消息,韩国存储芯片巨头SK海力士已正式启动在日本建设存储芯片合资生产工厂的可行性研究,这是该公司为应对全球AI存储需求爆发式增长、同时优化生产成本布局推出的核心海外扩张方案,若项目最终落地,将成为韩国半导体企业历史上首次在日本开展的大规模生产基地投资。

核心进展细节
SK集团董事长崔泰源日前在日本仙台出席韩日商会相关会议期间公开确认,SK海力士正在日本全国范围内筛选合资工厂的潜在选址,选址核心标准为电力、水资源供应充足的区域,目前暂未对外披露具体候选城市与潜在合作方。
据市场消息,当前最受关注的候选落点为日本东北部宫城县,项目整体投资规模或达数百亿美元。此前一周,SK海力士位于美国印第安纳州的HBM先进封装工厂刚刚正式举行动工仪式,叠加本次日本建厂的可行性研究,该公司全球化产能布局的轮廓已全面清晰。

布局背后的产业逻辑
作为全球高带宽内存(HBM)领域的核心龙头,SK海力士当前占据全球HBM收入市场份额的58%,AI热潮带动下公司存储产品需求持续爆发,全系列DRAM、NAND、HBM产能已通过长期协议全部锁定至2026年。为匹配海量增长的市场需求,该公司已在韩国本土敲定54万亿韩元(约合390亿美元)的巨额投资,用于扩建本土芯片制造设施。
本次日本建厂是SK海力士深化与日本半导体产业链绑定的关键动作:日本拥有东京电子、Namics等大量核心半导体材料、设备供应商,同时索尼、任天堂等都是该公司的重要下游客户,SK海力士目前已间接持有日本闪存巨头铠侠控股的大量股份,后续将依托新工厂进一步联合本土客户、供应商共同开发NAND闪存市场,完善全球化的AI存储产能版图。